เมื่อวันที่ 1 มิถุนายน 2020 ที่ผ่านมา Samsung Electronics ประกาศสร้างโรงงานหลังใหม่เสริมกำลังผลิต NAND Memory ในพื้นที่โรงงานเดิมในเมือง Pyeongtaek ประเทศเกาหลีใต้ เพื่อตอบรับความต้องการ Data Center และสมาร์ทโฟนที่เพิ่มขึ้นในปัจจุบัน กอปรกับแนวโน้มที่จะเติบโตขึ้นอีกในอนาคต โดยมีกำหนดเริ่มเปิดสายการผลิต V-NAND Memory ในช่วงครึ่งหลังของปี 2021 ซึ่งทางบริษัทรายงานว่า ได้เริ่มการก่อสร้างอาคารโรงงานแล้วตั้งแต่เดือนพฤษภาคมที่ผ่านมา 

โดยสาเหตุที่ความต้องการ NAND Memory เพิ่มขึ้น มีปัจจัยหลักมาจากไลฟ์สไตล์ยุคดิจิทัล และ Industry 4.0 ซึ่งกระตุ้นให้ปัญญาประดิษฐ์ (Artificial Intelligence: AI) และ 5G แพร่หลายขึ้น นำมาซึ่งความต้องการหน่วยความจำที่จะเติบโตอย่างต่อเนื่องในระยะยาว และเป็นโอกาสทางธุรกิจที่ Samsung เล็งเห็นว่าคุ้มค่าที่จะลงทุนคว้าเอาไว้

ปัจจุบันสายการผลิตหน่วยความจำของ Samsung ตั้งอยู่ในพื้นที่ในเมือง Hwaseong และ Pyeongtaek ประเทศเกาหลีใต้ และเมือง Xi'an ประเทศจีน ซึ่งแคมปัสในเมือง Pyeongtaek จะถูกใช้ในการผลิตเทคโนโลยีใหม่เป็นหลัก และมีสายการผลิตหน่วยความจำขนาดใหญ่ที่สุดในโลก 2 สายการผลิตภายในแคมปัสแห่งนี้

Samsung ตั้งเป้าว่า จะขยายกำลังผลิตต่อไปในอนาคต เพื่อรักษาตำแหน่งผู้นำตลาดที่ครองไว้ตลอดระยะเวลา 18 ปีที่ผ่านมา โดยจะให้ความสำคัญกับการลงทุนขยายกำลังผลิตในประเทศ และนอกประเทศอย่างสมดุล ควบคู่ไปกับการพัฒนานวัตกรรม เช่นเดียวกัน V-NAND ยุคที่ 6 ซึ่งเป็นรายแรกในอุตสาหกรรมที่ประสบความสำเร็จตั้งแต่เดือนกรกฎาคม ปี 2019 ที่ผ่านมา