1 - 1 of 3 Articles

การพัฒนา Power Semiconductor ด้วย Gallium Nitride (GaN)

อัปเดตล่าสุด 18 ก.ย. 2561

1,213 views

Masakazu Hashimoto แห่ง TOYODA GOSEI ให้สัมภาษณ์ถึงการพัฒนา Power Semiconductor ด้วย Gallium Nitride (GaN) เพื่อให้พร้อมใช้งานจริงและผลิตจำนวนมากได้ภายในช่วงครึ่งแรกของทศวรรษหน้า

SiC Power Semiconductor กับความหนาที่ลดลงเหลือ 1 ใน 3

อัปเดตล่าสุด 14 มิ.ย. 2561

730 views

Sansha Electric MFG และ Panasonic ได้ร่วมมือพัฒนาผลิตภัณฑ์ต้นแบบของ โมดูล Power Semiconductor แบบ Silicon Carbide (SiC) ที่มีความหนาเพียง 1 ใน 3 จากแบบเดิม

ฟังกลยุทธ์จาก ROHM

อัปเดตล่าสุด 12 ก.พ. 2561

981 views

บทสัมภาษณ์กลยุทธ์จากระดับท็อป ประธานบริษัท ROHM คุณซาโตชิ ซาวามุระ (Mr. Satoshi Sawamura) เผย “เพิ่มกำลังผลิต Silicon Carbide (SiC) Power Devices 16 เท่า”