การพัฒนา Power Semiconductor ด้วย Gallium Nitride (GaN)
Masakazu Hashimoto แห่ง TOYODA GOSEI ให้สัมภาษณ์ถึงการพัฒนา Power Semiconductor ด้วย Gallium Nitride (GaN) เพื่อให้พร้อมใช้งานจริงและผลิตจำนวนมากได้ภายในช่วงครึ่งแรกของทศวรรษหน้า
Masakazu Hashimoto แห่ง TOYODA GOSEI ให้สัมภาษณ์ถึงการพัฒนา Power Semiconductor ด้วย Gallium Nitride (GaN) เพื่อให้พร้อมใช้งานจริงและผลิตจำนวนมากได้ภายในช่วงครึ่งแรกของทศวรรษหน้า
Sansha Electric MFG และ Panasonic ได้ร่วมมือพัฒนาผลิตภัณฑ์ต้นแบบของ โมดูล Power Semiconductor แบบ Silicon Carbide (SiC) ที่มีความหนาเพียง 1 ใน 3 จากแบบเดิม